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基本原则干冰颗粒在喷淋清洗技术
作者:管理员    发布于:2017-04-22 21:11:14    文字:【】【】【

基本原则干冰颗粒在喷淋清洗技术

使用干冰制造机(干冰制粒机,干冰制粒机,干冰机)将干冰颗粒的某些规格的纯二氧化碳,然后使用干冰喷射清洗机(干冰清洗机,干冰喷射器,干冰喷射,模具清洗机器,模具清洗机)高速射流通过压缩空气驱动的干冰颗粒的原理,可以有效地去除硅表面的不同类型的污染物,机制可能是几个因素如动力学、热力学、化学反应。这使得多个清洗效果的方法,甚至SU - 8 -这是很难去除光刻胶也可以达到良好的清洗效果。
干冰颗粒喷射清洗方法的清洗的主要机制是不同的,不同类型的污染物。(图3)当清洁颗粒污染,干冰动量转移粒子与粒子之间的碰撞后污染,污染物颗粒压碎,从硅片表面,干冰颗粒同时注入高速气流形成的污染物快速赶走。当清洗有机污染物(图4),干冰颗粒和表面的有机污染物非弹性碰撞后的晶片,干冰颗粒接触污染物界面会发生液化,溶解有机污染物,从晶圆表面时,二氧化碳回到治愈从硅片表面的有机污染物,清洗
设备结构和工艺流程
1设备结构
为了适应硅片清洗的特殊性,所以特别干冰喷射清洗机专门(干冰清洗机,干冰喷射器,干冰喷射,模具清洗机器,模具清洗机)主要由清洁室,净化装置、空气供应,喷嘴和系统性循环系统等。
室内清洁腔喷嘴(自动或手动),电磁阀,晶片固定和旋转装置,喷嘴是一种干冰颗粒的关键部分。此外,清洗室配备真空泵,以满足其内部清洁度要求高。单元包括两个层次的净化槽和数以百万计的高效空气过滤器,能净化高纯度二氧化碳包含跟踪颗粒,有机物和水。循环系统由分离罐、压缩机、热交换器、二氧化碳的一部分用来完成分离、净化、压缩和热交换,从而回收二氧化碳。
定制的设备完全不同于传统的RCA清洗设备,使用高速喷气干冰颗粒喷射冲洗的硅片,依赖的干冰颗粒喷射及其携带的气流和颗粒之间的相互作用和有机硅晶片表面污垢去除污垢,是一种环境友好的干洗技术。
2流程流
3主要过程如下:硅片清洗阀一个,两个,四个,五个,确认没有其他清洁室阀打开,打开真空泵将清洁室真空和观察清洁燃烧室压力和湿度,这一步为真空,这样清洗室的要求清洁,保持室内清洁腔的真空度达到要求,关闭阀门,停止运行真空泵;现在打开固定硅片清洗室真空吸盘,并使其设定转速,打开阀门,阀门,打开净化器进出口阀,打开二氧化碳缸,压力泵,打开控制腔清洗室内喷嘴电磁阀,开始清除硅;打开阀门,阀4,开始运行压力泵和热交换器,二氧化碳开始周期;根据调整清洗的角距离和清除实验要求,清洗硅片,通过窗口实时观察清洗管腔内的清洗,干冰颗粒清洗后,切换不同的喷嘴,使二氧化碳直接以气体的形式,继续清洗晶圆,远离硅污染物的打击下,二氧化碳气体的排除在预定时间后,为了关闭二氧化碳钢瓶,阀门、净化器进出口阀和喷嘴。
三个实验验证
使用干冰颗粒喷射清洗设备,选择压力为5 n 8 MPa和纯度二氧化碳气源,将加压二氧化碳压力喷枪参数设置为11 MPa,选择三个相同的指纹在硅片表面,用干冰颗粒喷射清洗、稀释氢氟酸,去离子水和超声波振荡三种方法清洗,处理时间为5分钟。在清洗过程后,比较三组硅光学显微镜下。图8是同一地区的一张照片放大1 000倍,可以观察到使用干冰颗粒喷射清除指纹对晶片表面的清洗,而另两种方法有不同的污染物残留水平。
在实发现,如果改善之前的喷嘴压力二氧化碳和干冰颗粒的形成注入速度更快,清洗效果会更好,同时清洗效率也提高了很多。相反,如果压力过低或没有压力,直接使用二氧化碳的汽缸作为气源,干冰颗粒的形成效率很低,清洗效果变差,导致二氧化碳的巨大浪费。相同条件下的压力,气态二氧化碳比液态二氧化碳的空气供给的影响,这可能是由于杂质溶解在液体二氧化碳CO2圆柱,导致气体二氧化碳纯度相对较高。
实验还发现,在同一时间,如使用4 n下二氧化碳的纯度,清洗效果将会变得非常不理想,甚至延长清洗时间,仍然不能得到良好的清洗效果,而不是清洗后硅片表面变得非常脏,这是由于持续的新硅片表面污染,二氧化碳的污染。
实验证实,实验参数的合理控制,使用干冰颗粒喷射清洗硅片清洗技术可以达到理想的清洁效果,相比传统的清洗技术,清洁方法更有效,不会带来伤害。
4
在今天的硅晶体管和集成电路生产、硅片清洗问题几乎渗透在每一个工序,硅片清洗过程的重要性是不言而喻的。大规模集成电路的高速发展,传统的化学反应的基础上RCA清洗方法已经无法满足要求。干冰颗粒在喷淋清洗技术介绍了可以清洁无破损的硅,不仅有效地减少能源的浪费水等化学试剂,同时解决环境污染的问题在传统的清洗过程。摘要干冰颗粒喷射清洗设备实现二氧化碳回收,有效节约成本,减少能源消耗和环境污染。随着能源、环境问题日益突出的价值的干冰颗粒喷射清洗方法将越来越突出,这种方法具有广阔的应用前景,有望用于半导体生产线。